Взаимосвязь состава, структуры и свойств соединений Gd₅(Si_xGe_1‑x)₄

V. K. Pecharsky & K.A. Gschneidner, Jr.

Ames Laboratory and Department of Materials Science and Engineering, Iowa State University, Ames, IA 50011-3020, USA

Ранее считалось, что соединения Gd₅Si₄ и Gd₅Ge₄ имеют одинаковую кристаллическую структуру - орторомбическую типа Sm₅Ge₄ . Действительно, слои, расположенные в плоскости параллельной осям а и с, кристаллографически эквивалентны. Однако при комнатной температуре в силициде существуют ковалентные связи Si-Si между соседними слоями, а в германиде ковалентные связи Ge-Ge между соседними слоями отсутствуют. Твердые растворы Gd₅(Si_xGe_1‑x)₄ имеют, в зависимости от состава, один из трех типов кристаллической структуры (Рис. 2). При 0.5<x<1 это орторомбическая структура (А) типа Gd₅Si₄ , при 0<x≤0.2 орторомбическая структура (С) типа Gd₅Ge₄ и моноклинная (В) для составов с 0.24≤x≤0.5. При комнатной температуре в промежуточной фазе сохраняется только половина связей между соседними слоями, что приводит к чередованию сильно и слабо связанных слоев.

(more…)

Государственная премия Российской Федерации в области науки и техники за 1997 г. была присуждена:
Каневскому Е.И. (ГНПП «Исток»), Лаврентьеву Ю.В., Михалеву А.К. (ГНПП «Торий»), Подольскому И.Д. (ГП «Спецмагнит»), Сергееву В.Г. (МЭИ), Силантьеву Н.Н., Тугарину В.Г., Тупикину В.Д. (ЦНИИ ИА) – за создание научных основ, разработку и промышленное внедрение информационно-измерительных комплексов и средств контроля качества в процессе проектирования и производства специальных магнитных систем, магнитотвердых материалов и постоянных магнитов.
(more…)

Российский Федеральный Ядерный Центр с 1997 года ежегодно проводит международные научно-практические семинары «Капица». Цель семинара - предоставить российским ученым из Академии Наук и ВУЗов, а также иностранным ученым ранее закрытую для них экспериментальную базу РФЯЦ-ВНИИЭФ для исследований в фундаментальных областях физики полей мегагауссного диапазона и мегабарных давлений.
(more…)